خواص تراگسیلی بلورهای فوتونی یک بعدی شامل لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر

نویسندگان

رضا عبدی قلعه

استادیار، گروه مهندسی اپتیک و لیزر، دانشگاه بناب رضا سلدوزی

دانشجوی کارشناسی ارشد، گروه مهندسی اپتیک و لیزر، دانشگاه بناب امیر مدنی

استادیار، گروه مهندسی اپتیک و لیزر، دانشگاه بناب وحید فلاحی

استادیار، گروه مهندسی اپتیک و لیزر، دانشگاه بناب

چکیده

در این مقاله، ویژگی های تراگسیلی بلور فوتونی یک بعدی حاوی لایۀ نقص مگنتواپتیکی با اپسیلون - نزدیک - صفر و با تغییر المان قطری تانسور گذردهی الکتریکی لایۀ نقص بررسی شده است. برای انجام محاسبات روش ماتریس انتقال 4×4 به کار گرفته شده است. بررسی نتایج نشان می دهد که چنین ساختاری برای یکی از قطبش های دایروی کاملاً غیر شفاف است، در صورتی که برای قطبش دیگر به ازای ضخامت های خاص و معینی می تواند دارای ضریب تراگسیل کامل (t=1) باشد. همچنین چرخش فارادی این ساختار مورد مطالعه قرار گرفته است. علاوه بر آن رفتار ضریب تراگسیل قطبش های دایروی به ازای تعداد لایه های مختلف ساختار محاسبه و با یکدیگر مقایسه شده است.

برای دانلود باید عضویت طلایی داشته باشید

برای دانلود متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

متن کامل

تنظیم ضریب جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل نقص لایه گرافن

امروزه نانوساختار‌های گرافن استعداد چشمگیری برای استفاده در کاربردهایاپتوالکترونیک غیرخطی مانند فیلترهای باندگذر باریک از خود نشان داده‌اند. در این مقاله، میزان جذب غیرخطی بلور فوتونی یک بعدی شامل لایه‌های دی‌الکتریک Ta2O5 و SiO2 و لایه گرافن به عنوان نقص ساختار که دارای خاصیت غیرخطی نوری است، از جنبه نظری بررسی شده است. به دلیل پذیرفتاری غیرخطی مرتبۀ سوم قوی گرافن، اثر اپتیکی کر یکی از اثرات غ...

متن کامل

بررسی گاف کامل فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی پلاسمایی

: در این تحقیق ساختار باند فوتونی در بلورهای فوتونی دو بعدی با شبکه مثلثی از میله­ های تلوریم با اشکال هندسی متفاوت در زمینه پلاسما مورد بررسی قرار می­گیرد. نتایج محاسبات عددی بر پایه روش تفاضل های متناهی در حوزه زمان نشان می­دهد که در ساختارهای ذکر شده به ازای پارامترهای ساختاری بهینه، گاف فوتونی کامل با پهنای قابل ملاحظه­ای وجود دارد. پهنای گاف فوتونی کاملِ به دست آمده در این تحقیق از تمامی مق...

متن کامل

مطالعه خواص گاف نواری بلورهای فوتونی شامل لایه نقص ابررسانا

موقع مطالعه در مورد مواد نوری متداول دو نوع ناحیه پراکندگی وجود دارد. در یک ناحیه محیط یکنواخت که تغییرات در ویژگی ماده آن در مقایسه با طول موج نور تابشی خیلی کوچک است(شکل 1-الف)[2]. در این محیط که از ذرات پراکننده مجزا مانند اتم ها ساخته شده، یک پاسخ نوری متوسط توسط اتمها ایجاد می شود. ویژگی نوری چنین موادی بسادگی توسط ثابت دی الکتریک ? بیان می شود. تابش الکترومغناطیسی در چنین محیط هایی به شکل...

15 صفحه اول

ساخت آینه در بلورهای فوتونی دو بعدی

 در این مقاله آرایه­ای متناوب مثلثی شکل از بلورهای فوتونی دو بعدی در صفحه­ی x-z ایجادشده است.در این ساختار میله­های شش­ضلعی سیلیکونی در زمینه هوا قرار دارند.با قرار دادن یک منبع نور گوسی در سمت چپ و مرکز ساختار میزان انتشار و انعکاس در اطراف بلور فوتونی به دست آمد. روش تفاضل متناهی حوزه زمان (FDTD)جهت شبیه­سازی استفاده شده است که از جمله روش­های عددی است.با توجه به نتایج شبیه­سازی، بلور فوتونی ...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید


عنوان ژورنال:
اپتوالکترونیک نظری و کاربردی

جلد ۱، شماره ۱، صفحات ۷-۱۴

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023